Descripción
Los IRF3205 N-Canal HEXFET® con alimentación MOSFET de International Rectifier implementa soluciones de procesamiento de alta tecnología para alcanzar increíblemente lo mínimo en resistencia por espacio de silicio. Esta ventaja, junto con la tasa de conversión rápida y la disposición del sistema robusto que HEXFET MOSFET de potencia son populares, ofrece el desarrollador con un producto rentable y fiable excepcionalmente para ser utilizado en una gran variedad de programas. El A-220 paquete se ve favorecida a nivel mundial para la mayoría de los propósitos comerciales-industriales en las etapas de disipación de energía de alrededor de 50 vatios. La resistencia térmica mínima y con reducción de precio del paquete TO-220 desempeñan un papel a su extensa reconocimiento través de todo el mercado.
CARACTERISTICAS:
-Continua de drenaje actual, VGS @ 10V = 110 A
-Pulsada Escurrir actual = 390 A
-A 25 ° C Disipación de potencia = 200 W
-Factor de Reducción de potencia lineal = 1,3 W / ° C
-Puerta-a-Tensión de fuente = ± 20 V
-Avalancha actual = 62 A
-Repetitivo avalancha de Energía = 20 mJ
-dv / dt Pico diodo de recuperación dv / dt = 5,0 V / ns
-Junction operativo y soldadura de temperatura, durante 10 segundos = 300 (1.6mm del caso) ° C
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