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  IRF520 IRF520N A-220 N-CHANNEL MOSFET DE POTENCIA IR

  $2,00

  Tipo de transistor
  N-MOSFET
  Tecnología
  HEXFET®
  Polarización
  unipolar
  Tensión drenaje-fuente
  100V
  Corriente del drenaje
  9.7A
  Poder disipado
  48W
  Carcasa
  TO220AB
  Tensión puerta-fuente
  ±20V
  Resistencia en estado de transferencia
  0.2ohm
  Montaje
  THT
  Carga de puerta
  16.7nC

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  Tecnología
  HEXFET®
  Polarización
  unipolar
  Tensión drenaje-fuente
  100V
  Corriente del drenaje
  9.7A
  Poder disipado
  48W
  Carcasa
  TO220AB
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  ±20V
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