Etiqueta: mosfet
mosfet
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$2,00Vista rápida
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
9.7A
Poder disipado
48W
Carcasa
TO220AB
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0.2ohm
Montaje
THT
Carga de puerta
16.7nCTipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
9.7A
Poder disipado
48W
Carcasa
TO220AB
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0.2ohm
Montaje
THT
Carga de puerta
16.7nC -
$5,00Vista rápida
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet IRFZ44N cuenta con una capacidad de 49A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet IRFZ44N cuenta con una capacidad de 49A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
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$2,10Vista rápida
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet IRFR5305 cuenta con una capacidad de -31A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet IRFR5305 cuenta con una capacidad de -31A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
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$2,00Vista rápida
¿2N7000 Transistor Mosfet Qué es?
2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
¿2N7000 Transistor Mosfet Qué es?
2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
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Los IRF3205 N-Canal HEXFET® con alimentación MOSFET de International Rectifier implementa soluciones de procesamiento de alta tecnología para alcanzar increíblemente lo mínimo en resistencia por espacio de silicio. Esta ventaja, junto con la tasa de conversión rápida y la disposición del sistema robusto que HEXFET MOSFET de potencia son populares, ofrece el desarrollador con un producto rentable y fiable excepcionalmente para ser utilizado en una gran variedad de programas. El A-220 paquete se ve favorecida a nivel mundial para la mayoría de los propósitos comerciales-industriales en las etapas de disipación de energía de alrededor de 50 vatios. La resistencia térmica mínima y con reducción de precio del paquete TO-220 desempeñan un papel a su extensa reconocimiento través de todo el mercado.
Los IRF3205 N-Canal HEXFET® con alimentación MOSFET de International Rectifier implementa soluciones de procesamiento de alta tecnología para alcanzar increíblemente lo mínimo en resistencia por espacio de silicio. Esta ventaja, junto con la tasa de conversión rápida y la disposición del sistema robusto que HEXFET MOSFET de potencia son populares, ofrece el desarrollador con un producto rentable y fiable excepcionalmente para ser utilizado en una gran variedad de programas. El A-220 paquete se ve favorecida a nivel mundial para la mayoría de los propósitos comerciales-industriales en las etapas de disipación de energía de alrededor de 50 vatios. La resistencia térmica mínima y con reducción de precio del paquete TO-220 desempeñan un papel a su extensa reconocimiento través de todo el mercado.
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$1,00Vista rápida
Muchas veces es necesario manejar cargas de mas de 2A de corriente, por lo que ya no es posible utilizar el conocido driver L298N. Este modulo Dual Mosfet es capaz de manejar una carga de 15A y hasta 30A con disipado. Soporta control por PWM. Puede manejar cargas como: valvulas solenoide 24V DC, motores DC, Celdas Peltier de hasta 6A, Luces LED de alta potencia.
Los transistores de tipo Mosfet presentan mejores caracteristicas que los BJT en aplicaciones de Encendido/Apagado de cargas de alto amperaje. Para activar el mosfet se debe de enviar 5 Voltios al Gate del Mosfet, esto permitira que la corriente fluya a traves de la carga y esta se active.
Muchas veces es necesario manejar cargas de mas de 2A de corriente, por lo que ya no es posible utilizar el conocido driver L298N. Este modulo Dual Mosfet es capaz de manejar una carga de 15A y hasta 30A con disipado. Soporta control por PWM. Puede manejar cargas como: valvulas solenoide 24V DC, motores DC, Celdas Peltier de hasta 6A, Luces LED de alta potencia.
Los transistores de tipo Mosfet presentan mejores caracteristicas que los BJT en aplicaciones de Encendido/Apagado de cargas de alto amperaje. Para activar el mosfet se debe de enviar 5 Voltios al Gate del Mosfet, esto permitira que la corriente fluya a traves de la carga y esta se active.
