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npn
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FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MWFMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW -
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Sensor Inductivo Sensor ProximidadLJ8A3-2-Z/AX 6v-36v NPN
Modelo: LJ8A3-2-Z/AX
Sensor Inductivo Sensor ProximidadLJ8A3-2-Z/AX 6v-36v NPN
Modelo: LJ8A3-2-Z/AX
¡Queda(n) 5 disponible(s)! -
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Sensor De Proximidad Iman Efecto Hall Njk-5002c Npn
– Modelo: NJK-5002C
– Voltaje de suministro: 5-30VDCSensor De Proximidad Iman Efecto Hall Njk-5002c Npn
– Modelo: NJK-5002C
– Voltaje de suministro: 5-30VDC¡Queda(n) 10 disponible(s)! -
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El transistor TIP122 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad NPN, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
El transistor TIP122 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad NPN, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
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- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y oscilador de alta frecuencia
- IC: 150 mA
- PD: 250 mW
- VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
- hFE: 200 a 400 (Ranking G)
- FT: 300 MHz típico
- VCE(sat): 0.3 V max.
- Código de marcado: C945
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: 2SA733
- Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí
Hoja de datos:
Equivalentes: NTE123AP, 123AP, C945 (*), 2SC945 (**), entre otros
(*) Organización de pines diferente en algunas versiones y en otras no
(**) Organización de pines diferente
- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y oscilador de alta frecuencia
- IC: 150 mA
- PD: 250 mW
- VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
- hFE: 200 a 400 (Ranking G)
- FT: 300 MHz típico
- VCE(sat): 0.3 V max.
- Código de marcado: C945
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: 2SA733
- Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí
Hoja de datos:
Equivalentes: NTE123AP, 123AP, C945 (*), 2SC945 (**), entre otros
(*) Organización de pines diferente en algunas versiones y en otras no
(**) Organización de pines diferente
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El transistor BC548 es de unión bipolar NPN usado principalmente para circuitos amplificadores de audio y circuitos de conmutación de baja velocidad. Encontrándose en etapas preamplificadoras, tonos, biomédica, entre otros.
Características
El transistor BC548 es de unión bipolar NPN usado principalmente para circuitos amplificadores de audio y circuitos de conmutación de baja velocidad. Encontrándose en etapas preamplificadoras, tonos, biomédica, entre otros.
Características
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El transistor TIP117 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad PNP, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
El transistor TIP117 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad PNP, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
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Kit 110 Transistores
Kit 110 Transistores
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- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
- IC: 600 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, max.
- fT: 200 MHz mínimo
- Encapsulado TH/THT: TO-92
- Complementarios NPN: PN2222, PN2222A, 2N2222, 2N2222A
- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
- IC: 600 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, max.
- fT: 200 MHz mínimo
- Encapsulado TH/THT: TO-92
- Complementarios NPN: PN2222, PN2222A, 2N2222, 2N2222A
