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Un diodo Schottky está constituido por la unión de metal semiconductor en lugar de la unión convencional PN, donde en un diodo normal en frecuencias bajas puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación es mayor poniendo así en peligro el dispositivo, mientras que en un diodo de barrera si el semiconductor esta dopado con electrones móviles (tipo N) estos desempeñan un papel significativo en la operación del diodo.
Un diodo Schottky está constituido por la unión de metal semiconductor en lugar de la unión convencional PN, donde en un diodo normal en frecuencias bajas puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación es mayor poniendo así en peligro el dispositivo, mientras que en un diodo de barrera si el semiconductor esta dopado con electrones móviles (tipo N) estos desempeñan un papel significativo en la operación del diodo.
Características
| Voltaje máximo en inversa (Vrm): | 45V |
| Corriente de salida rectificada (Io): | 50 mA |
| Montaje: | SMD |
| Empaquetado: | LL-34 |
| Temperatura de trabajo: | -55º C a 150º C |
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El Diodo Rectificador 1N4007 fue inventado por John Ambrose Fleming fue un físico e ingeniero eléctrico británico realizo el descubrimiento en el año de 1904. Es considerado uno de los pioneros de la electrónica. La palabra diodo del vocablo (δίοδο) griego se traduce como (pasaje angosto). El término se ocupa en el área de la electricidad e electrónica. Es considerado un semiconductor debido a que solo permite la circulación de flujo de electrones en una única dirección con las singularidades similares a un interruptor.
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