$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
All Departments
$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Jfet 2N5457 cuenta con una capacidad de 10mA, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
2SA1494. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió PNP otras.
CARACTERISTICAS:
Polaridad (P-N-P)
Transistor Amplificador de propósito general)
Corriente máxima de colector (Ic) 17A Ampere
2SA1943 TRANSISTOR PNP ORIGINAL PARA AMPLIFICADOR DE AUDIO
Aplicaciones del amplificador de potencia Alto voltaje del colector: VCEO = -230 V (mín.) Complementario a 2SC5200 Recomendado para la etapa de salida del amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 W.
– Tipo: transistor
– Color: Negro
– Materiales: Plástico + aleaciones
– Cantidad: 600 unidades.
– Tamaño aproximado. 250 x 180 x 50mm / 9.84in x 7.09in x 1.97in
Equivalentes: NTE123AP, 123AP, C945 (*), 2SC945 (**), entre otros
(*) Organización de pines diferente en algunas versiones y en otras no
(**) Organización de pines diferente
Selecciona al menos 2 productos
para comparar

