$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
Equivalentes: NTE123AP, 123AP, C945 (*), 2SC945 (**), entre otros
(*) Organización de pines diferente en algunas versiones y en otras no
(**) Organización de pines diferente
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet IRFZ44N cuenta con una capacidad de 49A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
El BC558 es un transistor bipolar PNP de alta calidad para aplicaciones generales, desarrollado por la Philips y la Mullard. Este transistor es parte de una familia de transistores con características casi iguales que son los BC556, BC557, BC559 y BC560 y son complementarios de los BC548 y la respectiva familia.
La diferencia entre los distintos modelos es la tensión máxima de trabajo como explicaré en el siguiente párrafo. Además, el BC559 y el BC560 tienen un muy bajo nivel de ruido y son usados con señales débiles de audio en sistemas de alta fidelidad. Para simplificar la explicación usaré el nombre BC55x cuando me refiero a todos los miembros de la familia
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