$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
All Departments
$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
9.7A
Poder disipado
48W
Carcasa
TO220AB
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0.2ohm
Montaje
THT
Carga de puerta
16.7nC
2SA1943 TRANSISTOR PNP ORIGINAL PARA AMPLIFICADOR DE AUDIO
Aplicaciones del amplificador de potencia Alto voltaje del colector: VCEO = -230 V (mín.) Complementario a 2SC5200 Recomendado para la etapa de salida del amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 W.
Transistor IGBT que viene en empaque TO247. Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, rectificación, fuentes de comnutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet IRFR5305 cuenta con una capacidad de -31A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
Equivalentes: NTE123AP, 123AP, C945 (*), 2SC945 (**), entre otros
(*) Organización de pines diferente en algunas versiones y en otras no
(**) Organización de pines diferente
Selecciona al menos 2 productos
para comparar

