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FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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$6,00Vista rápidaTransistor 2SA1169 potencia.
Información Básica
- Polaridad del transistor: PNP
- Voltaje V (br) ceo: 200 V
- Transición de frecuencia ft: 20 MHz
- Disipación de potencia Pd: 15 0W
- Corriente del colector DC: 15 A
- Ganancia de corriente DC hFE: 30 hFE
- Encapsulado: TB-35
- 3 pines
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El transistor BC548 es de unión bipolar NPN usado principalmente para circuitos amplificadores de audio y circuitos de conmutación de baja velocidad. Encontrándose en etapas preamplificadoras, tonos, biomédica, entre otros.
Características
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- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
- IC: 600 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, max.
- fT: 200 MHz mínimo
- Encapsulado TH/THT: TO-92
- Complementarios NPN: PN2222, PN2222A, 2N2222, 2N2222A
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El transistor TIP117 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad PNP, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
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El 2N2222 NPN es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Este transistor es de tipo “NPN”, formado por dos capas de material tipo “N”, separadas por otra de tipo “P”. El 2N2222 NPN esta protegido por un encapsulado de plástico color negro conocido como TO-92 y cuenta con 3 pines que son base, colector y emisor, donde el emisor se encarga de emitir o inyectar electrones, la base permite transferir o pasar los electrones y el colector se encarga de colectar electrones.
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