$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
Productos relacionados
-
$5,00Vista rápida
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet IRFZ44N cuenta con una capacidad de 49A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
¡Queda(n) 10 disponible(s)! -
$6,00Vista rápidaTransistor 2SA1169 potencia.
Información Básica
- Polaridad del transistor: PNP
- Voltaje V (br) ceo: 200 V
- Transición de frecuencia ft: 20 MHz
- Disipación de potencia Pd: 15 0W
- Corriente del colector DC: 15 A
- Ganancia de corriente DC hFE: 30 hFE
- Encapsulado: TB-35
- 3 pines
-
$2,00Vista rápida
- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
- IC: 600 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, max.
- fT: 200 MHz mínimo
- Encapsulado TH/THT: TO-92
- Complementarios NPN: PN2222, PN2222A, 2N2222, 2N2222A
-
$6,42Vista rápida
2SC3858 TRANSISTOR NPN BIPOLAR DE POTENCIA 200V 17A
2SC3858. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió NPN otras.
-
$5,25Vista rápida
2SA1943 TRANSISTOR PNP ORIGINAL PARA AMPLIFICADOR DE AUDIO
Aplicaciones del amplificador de potencia Alto voltaje del colector: VCEO = -230 V (mín.) Complementario a 2SC5200 Recomendado para la etapa de salida del amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 W.
