$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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(Pd) : A potencia de 350 MW
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emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
Los IRF3205 N-Canal HEXFET® con alimentación MOSFET de International Rectifier implementa soluciones de procesamiento de alta tecnología para alcanzar increíblemente lo mínimo en resistencia por espacio de silicio. Esta ventaja, junto con la tasa de conversión rápida y la disposición del sistema robusto que HEXFET MOSFET de potencia son populares, ofrece el desarrollador con un producto rentable y fiable excepcionalmente para ser utilizado en una gran variedad de programas. El A-220 paquete se ve favorecida a nivel mundial para la mayoría de los propósitos comerciales-industriales en las etapas de disipación de energía de alrededor de 50 vatios. La resistencia térmica mínima y con reducción de precio del paquete TO-220 desempeñan un papel a su extensa reconocimiento través de todo el mercado.
2SA1494. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió PNP otras.
CARACTERISTICAS:
Polaridad (P-N-P)
Transistor Amplificador de propósito general)
Corriente máxima de colector (Ic) 17A Ampere
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet IRFR5305 cuenta con una capacidad de -31A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
– Tipo: transistor
– Color: Negro
– Materiales: Plástico + aleaciones
– Cantidad: 600 unidades.
– Tamaño aproximado. 250 x 180 x 50mm / 9.84in x 7.09in x 1.97in
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