$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
– Tipo: transistor
– Color: Negro
– Materiales: Plástico + aleaciones
– Cantidad: 600 unidades.
– Tamaño aproximado. 250 x 180 x 50mm / 9.84in x 7.09in x 1.97in
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet IRFZ44N cuenta con una capacidad de 49A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
Es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general, Sirve para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, construir puentes H, variar la velocidad de motores pequeños e intensidad de led.
Equivalentes: NTE123AP, 123AP, C945 (*), 2SC945 (**), entre otros
(*) Organización de pines diferente en algunas versiones y en otras no
(**) Organización de pines diferente
El DS18B20 es un sensor digital de temperatura con encapsulado de tipo TO-92 similar al empleado en transistores pequeños. Con este sensor puedes medir temperatura desde los -55°C hasta los 125°C y con una resolución programable desde 9 bits hasta 12 bits.
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