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Transistores de potencia disponible en TIP31C NPN y TIP32C PNP, ambos tienen un encapsulado de plástico TO-220, estos transistores son de tipo bipolar de propósito general son de muy alto desempeño, de acuerdo a tu proyecto podrás elegir uno de estos transistores.
¿Para que sirve Transistor TIP31C y TIP32C?
transistores sirven para aplicaciones de audio, procesamiento de señal, administración de potencia, dispositivos portátiles, electrónica de consumo y conmutación rápida.
Transistores de potencia disponible en TIP31C NPN y TIP32C PNP, ambos tienen un encapsulado de plástico TO-220, estos transistores son de tipo bipolar de propósito general son de muy alto desempeño, de acuerdo a tu proyecto podrás elegir uno de estos transistores.
¿Para que sirve Transistor TIP31C y TIP32C?
transistores sirven para aplicaciones de audio, procesamiento de señal, administración de potencia, dispositivos portátiles, electrónica de consumo y conmutación rápida.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
Transistor TIP31C
- Número de Modelo: TIP31C
- Transistor NPN
- Encapsulado TO-220
- Número de pines: 3
- Dimensiones Aprox.: 28.9 mm x 10 mm x 4.4 mm
- Peso: 2g
- Tecnología: A través del orificio “Through Hole”
- Tipo de Transistor: BJT – Transistores bipolares
- Corriente máxima del colector: 3 A
- Voltaje colector-emisor VCEO Max: 100V
- Colector- Voltaje base VCBO: 100V
- Emisor- Voltaje base VEBO: 5 V
- Voltaje de saturación colector-emisor: 1.2 V
- Pd – Disipación de energía (Tc=25°C): 40 W
- Producto de ganancia de ancho de banda fT: 3 MHz
- Temperatura mínima de funcionamiento: – 65 C
- Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Transistor TIP32C
- Número de Modelo: TIP32C
- Transistor PNP
- Encapsulado TO-220
- Número de pines: 3
- Dimensiones Aprox.: 28.9 mm x 10 mm x 4.4 mm
- Peso: 2g
- Tecnología: A través del orificio “Through Hole”
- Tipo de Transistor: BJT – Transistores bipolares
- Corriente máxima del colector: 3 A
- Voltaje colector-emisor VCEO Max: 100V
- Colector- Voltaje base VCBO: -100V
- Emisor- Voltaje base VEBO: – 5 V
- Voltaje de saturación colector-emisor: – 1.2 V
- Pd – Disipación de energía (Tc=25°C) 40 W
- Producto de ganancia de ancho de banda fT: 3 MHz
- Temperatura mínima de funcionamiento: – 65 C
- Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
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