$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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(Pd) : A potencia de 350 MW
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(Pd) : A potencia de 350 MW
El transistor TIP122 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad NPN, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
Los IRF3205 N-Canal HEXFET® con alimentación MOSFET de International Rectifier implementa soluciones de procesamiento de alta tecnología para alcanzar increíblemente lo mínimo en resistencia por espacio de silicio. Esta ventaja, junto con la tasa de conversión rápida y la disposición del sistema robusto que HEXFET MOSFET de potencia son populares, ofrece el desarrollador con un producto rentable y fiable excepcionalmente para ser utilizado en una gran variedad de programas. El A-220 paquete se ve favorecida a nivel mundial para la mayoría de los propósitos comerciales-industriales en las etapas de disipación de energía de alrededor de 50 vatios. La resistencia térmica mínima y con reducción de precio del paquete TO-220 desempeñan un papel a su extensa reconocimiento través de todo el mercado.
Es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general, Sirve para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, construir puentes H, variar la velocidad de motores pequeños e intensidad de led.
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