$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
Productos relacionados
-
$2,00Vista rápida
¿2N7000 Transistor Mosfet Qué es?
2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
-
$2,00Vista rápida
El BC558 es un transistor bipolar PNP de alta calidad para aplicaciones generales, desarrollado por la Philips y la Mullard. Este transistor es parte de una familia de transistores con características casi iguales que son los BC556, BC557, BC559 y BC560 y son complementarios de los BC548 y la respectiva familia.
La diferencia entre los distintos modelos es la tensión máxima de trabajo como explicaré en el siguiente párrafo. Además, el BC559 y el BC560 tienen un muy bajo nivel de ruido y son usados con señales débiles de audio en sistemas de alta fidelidad. Para simplificar la explicación usaré el nombre BC55x cuando me refiero a todos los miembros de la familia
-
$2,00Vista rápida
El transistor TIP122 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad NPN, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
-
$2,00Vista rápida
El transistor BC548 es de unión bipolar NPN usado principalmente para circuitos amplificadores de audio y circuitos de conmutación de baja velocidad. Encontrándose en etapas preamplificadoras, tonos, biomédica, entre otros.
Características
