$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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NPN
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(Pd) : A potencia de 350 MW
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2SA1494. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió PNP otras.
CARACTERISTICAS:
Polaridad (P-N-P)
Transistor Amplificador de propósito general)
Corriente máxima de colector (Ic) 17A Ampere
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Vista rápida
Los IRF3205 N-Canal HEXFET® con alimentación MOSFET de International Rectifier implementa soluciones de procesamiento de alta tecnología para alcanzar increíblemente lo mínimo en resistencia por espacio de silicio. Esta ventaja, junto con la tasa de conversión rápida y la disposición del sistema robusto que HEXFET MOSFET de potencia son populares, ofrece el desarrollador con un producto rentable y fiable excepcionalmente para ser utilizado en una gran variedad de programas. El A-220 paquete se ve favorecida a nivel mundial para la mayoría de los propósitos comerciales-industriales en las etapas de disipación de energía de alrededor de 50 vatios. La resistencia térmica mínima y con reducción de precio del paquete TO-220 desempeñan un papel a su extensa reconocimiento través de todo el mercado.
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- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
- IC: 600 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, max.
- fT: 200 MHz mínimo
- Encapsulado TH/THT: TO-92
- Complementarios NPN: PN2222, PN2222A, 2N2222, 2N2222A
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¿2N7000 Transistor Mosfet Qué es?
2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
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