$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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NPN
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corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
El DS18B20 es un sensor digital de temperatura con encapsulado de tipo TO-92 similar al empleado en transistores pequeños. Con este sensor puedes medir temperatura desde los -55°C hasta los 125°C y con una resolución programable desde 9 bits hasta 12 bits.
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
9.7A
Poder disipado
48W
Carcasa
TO220AB
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0.2ohm
Montaje
THT
Carga de puerta
16.7nC
2SC3858 TRANSISTOR NPN BIPOLAR DE POTENCIA 200V 17A
2SC3858. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió NPN otras.
Transistores de potencia disponible en TIP31C NPN y TIP32C PNP, ambos tienen un encapsulado de plástico TO-220, estos transistores son de tipo bipolar de propósito general son de muy alto desempeño, de acuerdo a tu proyecto podrás elegir uno de estos transistores.
transistores sirven para aplicaciones de audio, procesamiento de señal, administración de potencia, dispositivos portátiles, electrónica de consumo y conmutación rápida.
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