$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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NPN
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(Pd) : A potencia de 350 MW
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Información Básica
- Polaridad del transistor: PNP
- Voltaje V (br) ceo: 200 V
- Transición de frecuencia ft: 20 MHz
- Disipación de potencia Pd: 15 0W
- Corriente del colector DC: 15 A
- Ganancia de corriente DC hFE: 30 hFE
- Encapsulado: TB-35
- 3 pines
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Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
9.7A
Poder disipado
48W
Carcasa
TO220AB
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0.2ohm
Montaje
THT
Carga de puerta
16.7nC
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