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FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
9.7A
Poder disipado
48W
Carcasa
TO220AB
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0.2ohm
Montaje
THT
Carga de puerta
16.7nC -
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- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y oscilador de alta frecuencia
- IC: 150 mA
- PD: 250 mW
- VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
- hFE: 200 a 400 (Ranking G)
- FT: 300 MHz típico
- VCE(sat): 0.3 V max.
- Código de marcado: C945
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: 2SA733
- Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí
Hoja de datos:
Equivalentes: NTE123AP, 123AP, C945 (*), 2SC945 (**), entre otros
(*) Organización de pines diferente en algunas versiones y en otras no
(**) Organización de pines diferente
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