$0,80
FMMT618:
NPN
emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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NPN
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corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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emisor voltaje de ruptura (Vceo) : 20 V
corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
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corriente de colector (Ic) : 2,5
(Pd) : A potencia de 350 MW
El transistor BC548 es de unión bipolar NPN usado principalmente para circuitos amplificadores de audio y circuitos de conmutación de baja velocidad. Encontrándose en etapas preamplificadoras, tonos, biomédica, entre otros.
El transistor TIP122 es de tipo T de potencia con configuración Darlington de polaridad NPN, diseñado especialmente para línea industrial de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad soportando una alta ganancia de corriente continua y baja tensión de saturación entre colector/emisor.
2SC3858 TRANSISTOR NPN BIPOLAR DE POTENCIA 200V 17A
2SC3858. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió NPN otras.
2SA1494. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió PNP otras.
CARACTERISTICAS:
Polaridad (P-N-P)
Transistor Amplificador de propósito general)
Corriente máxima de colector (Ic) 17A Ampere
Transistor IGBT que viene en empaque TO247. Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, rectificación, fuentes de comnutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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